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인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 상단 냉각(TSC) Q-DPAK 패키지로 제공되는 CoolSiC™ MOSFET 1200V G2를 출시했다. 최적화된 열 성능, 시스템 효율 및 전력 밀도를 제공하는 신제품은 전기차(EV) 충전기, 태양광 인버터, UPS(무정전 전원 장치), 모터 드라이브, 솔리드스테이트 회로 차단기 등 높은 성능과 신뢰성이 요구되는 까다로운 산업용 애플리케이션을 위해 특별히 설계됐다.

새로운 CoolSiC™ 1200V G2 기술은 이전 세대 대비, 동일한 RDS(on) 디바이스의 스위칭 손실을 최대 25퍼센트까지 낮추어 시스템 효율을 0.1퍼센트까지 향상시킨다. 인피니언의 향상된 .XT 실리콘 접합 기술을 활용한 G2 디바이스는 G1 제품군 대비 15퍼센트 이상 낮은 열 저항과 11퍼센트 낮은 MOSFET 온도를 달성했다. 4mΩ~78mΩ의 탁월한 RDS(on) 값과 다양한 제품 포트폴리오를 통해 애플리케이션에 따라 시스템 성능의 최적화가 가능하다. 또한 이 새로운 기술은 과부하 상태에서 최대 200°C까지의 반도체 정션 온도(Tvj)를 지원하며 기생 성분에 의해 원치 않는 턴온에 대한 높은 견고성을 특징으로 해 역동적이고 까다로운 부하 조건에서도 안정적인 동작을 보장한다.

싱글 스위치와 듀얼 하프 브리지의 CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 디바이스가 Q-DPAK으로 제공된다. Q-DPAK 패키지는 소자 상단 표면에서 방열판으로 직접 열을 방출해 열 성능을 향상시킨다. 이 직접 열 경로는 기존 하단 냉각 패키지에 비해 열 전달 효율이 크게 향상돼 더욱 컴팩트한 설계가 가능하다. 또한 Q-DPAK 패키지 레이아웃 설계는 고속 스위칭에 필수적인 기생 인덕턴스를 최소화한다. 이를 통해 시스템 효율을 향상시키고 전압의 오버슈트 위험을 줄일 수 있다. 이 패키지의 작은 풋프린트는 컴팩트한 시스템 설계를 지원하고, 자동화된 납땜 공정이 가능하므로 PCB 조립 과정을 간소화해 비용 효율성과 확장성을 보장한다.