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강력한 GaN 전력 반도체 분야의 글로벌 리더인 실버 파트너 트랜스폼(Transphorm, Inc.)이 오늘 2024 APEC 쇼케이스에서 광범위한 스펙트럼(저전력 및 고전력) GaN 전력 변환으로 회사의 지속적인 리더십을 강조할 계획을 발표했다. 이러한 리더십 역할을 통해 트랜스폼은 고전력 시스템 제조업체가 GaN의 성능 이점을 이용할 수 있게 지원하는 유일한 GaN 반도체 회사 중 하나로 자리매김한다. 참석자들은 2월 25일부터 29일까지 행사 기간 동안 부스 1813에서 트랜스폼을 방문할 수 있다.

올해 트랜스폼은 업계 최초의 1200 V GaN-on-Sapphire 디바이스를 자랑하는 주요 혁신 이정표를 강조할 예정이다. 당사의 다목적 SuperGaN® 디바이스 포트폴리오는 다양한 방열판 구성이 필요한 고전력 시스템을 위한 완전하고 유연한 패키징의 선택을 완성하는 TO-247-4L, TOLL 및 TOLT 등 최근 발표된 패키지를 포함해 단연 최고이다. 마지막으로 현장 시연에서는 고성능 무정전 양방향 전원 공급 장치부터 태양 에너지 마이크로인버터 및 2륜/3륜 전기 자동차 시스템에 이르기까지 다양한 획기적인 전력 시스템에 대한 회사의 기술을 선보일 예정이다.

경쟁 옵션(예: e-모드 GaN, SiC, 실리콘)보다 뛰어난 우수한 GaN 솔루션을 고객에게 제공하는 트랜스폼의 능력은 기본 물리학을 수용하고 증폭하는 미래 지향적 SuperGaN 플랫폼에서 비롯된다. 트랜스폼은 캐스코드를 사용해 상시 꺼짐 d-모드 GaN 기술을 제조한다. 이러한 설계 구성을 통해 고유한 플랫폼 현상은 최대한의 잠재력을 발휘할 수 있으며, 해당 현상에는 2DEG GaN HEMT 채널 및 SiO2/Si 게이트 인터페이스(트랜스폼의 GaN HEMT와 페어링된 저전압 MOSFET이 생성함)가 포함된다. 당사가 최근 발표한 백서에는 이러한 장점이 설명돼 있으며 다음 위치에서 다운로드할 수 있다. https://bit.ly/dmodeadvwp.

전력 스펙트럼을 넘나드는 하나의 핵심 플랫폼

트랜스폼은 다음과 같은 기술로 차별화된 선도적인 GaN 전력 반도체 회사이다.

제조 가능성: EPI 디자인, 웨이퍼 프로세스 및 FET 다이 설계를 소유해 수직으로 통합된다.

설계 가능성: 잘 알려진 업계 표준 패키지 및 성능 패키지를 제공하는 한편 펌웨어(Microchip Technology) 및 하드웨어 통합(Weltrend Semiconductor) 분야의 유명한 글로벌 기업과 협력해 쉽게 설계할 수 있다.

구동성: 실리콘처럼 구동되고 기성 컨트롤러 및 드라이버와 쌍을 이루면서 최소한의 외부 회로가 필요한 장치를 제공한다.

안정성: 저전력 및 고전력 응용 분야에서 1000억 시간 이상의 현장 작동 중 현재 FIT 비율 0.05 미만으로 여전히 업계를 이끌고 있다.

오늘날 트랜스폼은 가장 광범위한 전력 응용 분야에서 가장 폭넓은 전력 변환 요구 사항(45W ~ 10+kW)을 지원한다. 당사의 FET 포트폴리오에는 650V 및 900V 장치와 개발 중인 1200V 장치가 포함된다. 이 장치는 JEDEC 및 AEC-Q101 인증을 획득해 전원 어댑터 및 컴퓨터 PSU부터 광범위한 산업용 UPS 및 전기 차량 이동 시스템에 이르기까지 최적의 솔루션을 제공한다. APEC에 전시될 혼합 고객 제품은 트랜스폼 SuperGaN 플랫폼의 광범위한 유용성을 보여준다.

연사 참여

트랜스폼 전문가는 다음 프레젠테이션을 통해 현장에서 청중과 소통할 예정이다.

고전력 GaN 디바이스 및 응용 분야
전문 교육 세미나(S17): 2월 26일 오전 8시 30분
발표자: CTO 사무실 기술 직원 다비드 비시(Davide Bisi), 비즈니스 개발 및 마케팅 SVP 선임 부사장 필립 주크(Philip Zuk), 전 세계 영업 및 FAE 부사장 투샤르 다야구데(Tushar Dhayagude)

SuperGaN의 차이점: 상시 꺼짐 d 모드 GaN 전력 반도체의 장점
참가업체 세미나: 2월 27일 오후 2시 15분
발표자: 기술 영업 관리자 제니 코르테즈(Jenny Cortez)

마이크로인버터 및 모터 드라이브를 위한 GaN 4사분면 스위치 기술
업계 세션(IS16.2): 2월 28일 오후 1시 55분
발표자: CTO 사무실 기술 직원 기탁 굽타(Geetak Gupta)

단락 저항 시간이 5μs인 15mΩ GaN 디바이스
업계 세션(IS22.6): 2월 29일 오전 10시 55분
발표자: CTO 사무실 기술 직원 다비드 비시(Davide Bisi) 박사