º£·º½º, 50-5000MHz ±¤´ë¿ª Flat Gain ÁõÆø±â ¡®BBA31¡¯ °³¹ß

  • ÁÖ¼Ò º¹»ç
  • ¹êµå °øÀ¯
  • ³×À̹ö °øÀ¯
  • Ä«Ä«¿ÀÅå °øÀ¯
  • ÆäÀ̽ººÏ °øÀ¯
  • Æ®À§ÅÍ °øÀ¯
º£·º½º°¡ GaAs E-pHEMT ±â¼ú·Î 50-5000MHz ´ë¿ª¿¡¼­ LTE/ 5G Åë½Å¿¡ ÀûÇÕÇÑ °í ¼±Çü¼º ÁõÆø±â BBA31À» Ãâ½ÃÇß´Ù. BBA31Àº matching ¼ÒÀÚ¸¦ ÃÖ¼ÒÈ­ÇØ »ç¿ëÇÒ ¼ö ÀÖµµ·Ï ³»ºÎ¿¡ 50ohmÀ¸·Î matchingµÅ ÀÖ°í, ROHS2 ±ÔÁ¤À» ¸¸Á·½ÃÅ°¸ç DFN 8L 2x2mm2 surface mounting package¸¦ »ç¿ëÇØ ¼ÒÇüÈ­Çß´Ù.

º£·º½º ¸¶ÄÉÆÃÆÀ ½ÅÇå¼ö ºÎÀåÀº ¡°BBA31´Â LTE, 5G NR Åë½ÅÀ» ¸ñÇ¥·Î ¼ÒÇüÀ¸·Î °³¹ßµÆÀ¸¸ç 5V¿¡¼­ »ç¿ë °¡´ÉÇÏ´Ù¡±°í ¼³¸íÇß´Ù. 5V »ç¿ë ½Ã 100MHz¿¡¼­ Ư¼ºÀº 15dB À̵æ, 40dBm Ãâ·Â ¼±Çü¼º OIP3, 21.8dBm Ãâ·Â P1, -50 dBc Ư¼º ¸¸Á·Àº 13.4dBm LTE 20MHz ACLRÀ» º¸ÀÌ°í, 3500MHz¿¡¼­ Ư¼ºÀº 14.5dB À̵æ, 37dBm Ãâ·Â ¼±Çü¼º OIP3, 20.9dBm Ãâ·Â P1, -50 dBc Ư¼º ¸¸Á·Àº 10.6dBm 5GNR ACLRÀ» º¸ÀδÙ.

ÇöÀç´Â 5G¿ë ±âÁö±¹ ¹× Áß°è±â¿ë ºÎÇ°ÀÌ ¼öÀÔ ÀÇÁ¸µµ°¡ ³ôÀ¸³ª, À̹ø ±¹»êÈ­ °³¹ßÀ» ÅëÇØ Åë½Å ½ÃÀå¿¡¼­ ±¹»êÈ­°¡ È®´ëµÉ °ÍÀ¸·Î ±â´ëµÈ´Ù. º£·º½º´Â RF¿ë °¥·ýºñ¼Ò, °¥·ýÁú¼Ò, ½Ç¸®ÄÜ-°Ô¸£¸¶´Ï¿ò ¹× CMOS ±â¼úÀ» ÀÌ¿ëÇØ Åë½Å¿ë ºÎÇ°À» °³¹ßÇØ ¼¼°è Á¤»ó±Þ RF ¹ÝµµÃ¼(Semiconductor) ȸ»ç·Î ÁøÀÔ ¸ñÇ¥¸¦ °®°í ÀÖ´Ù.

º£·º½º ¼Ò°³

º£·º½º´Â À̵¿Åë½Å¿ë È­ÇÕ¹° ¹ÝµµÃ¼¸¦ ±âȹ, °³¹ß, »ý»ê, ÆǸÅÇÏ´Â Àü¹® º¥Ã³ ±â¾÷À¸·Î 2004³â Ãâ¹üÇßÀ¸¸ç, Åë½Å ±âÁö±¹¿¡¼­ È°¿ëÇÏ´Â ¹«¼±Åë½Å ¹ÝµµÃ¼(RFIC) ºÐ¾ß ƯÇ㸦 ´Ù¼ö È®º¸ÇØ ±â¼ú·ÂÀ¸·Î ³·Àº ÀÎÁöµµ¸¦ ±Øº¹ÇÏ°í »ç¾÷ ¿µ¿ªÀ» ³ÐÇô¿À°í ÀÖ´Ù. 2007³â ÀÌÈÄ ¸Å³â ¼öÀÍÀ» âÃâÇØ ¹«Â÷ÀÔ °æ¿µÀ» ½Ç½ÃÇÏ°í ÀÖ´Ù. 2008³â ¹Ì±¹ Ķ¸®Æ÷´Ï¾Æ »êÈ£¼¼¿¡ 100% ÀÚȸ»ç BeRex, Inc.¸¦ ¼³¸³ÇØ ¹Ì±¹ ·¹ÀÌ´õ À§¼ºÅë½ÅÀåºñ ½ÃÀå¿¡ ÁøÀÔÇßÀ¸¸ç, 2019³â¿¡´Â Ķ¸®Æ÷´Ï¾Æ ¼ÒÀç ¿ÁÅäÅ×Å©(Octotech)¸¦ ÀμöÇØ IoT¿ë ¹ÝµµÃ¼¸¦ °³¹ß/»ý»ê/ÆǸÅÇÏ°í ÀÖ´Ù. ÇöÀç´Â È­ÇÕ¹° ¹ÝµµÃ¼ ¿Ü¿¡ ½Ç¸®ÄÜ-°Ô¸£¸¶´½(SiGe) ¹ÝµµÃ¼, ½Ç¸®ÄÜ Àý¿¬¸·(Silicon-on-Insulator) ¹ÝµµÃ¼ ±â¼úÀ» ÀÌ¿ëÇØ Á¦Ç° ¹× ½ÃÀå ´Ùº¯È­¸¦ ÇÏ°í ÀÖ´Ù. º£·º½º´Â ¼­¿ï, ¹Ì±¹ »êŸŬ¶ó¶ó¿Í »êŸ ¾Æ³ª 3°÷¿¡ ¿¬±¸¼Ò¸¦ ¿î¿µÇÏ°í ÀÖ´Ù. º£·º½º´Â ÇöÀç 19°³ Á¦Ç°±º°ú 177°³ÀÇ Á¦Ç°À» ÆǸÅÇÏ°í ÀÖÀ¸¸ç, ¶ÇÇÑ Àü ¼¼°è 22°³±¹ ¼öÃâ ¹× 530¸í °í°´À» È®º¸ÇÑ °æ¿µ, ±âȹ°ú ±â¼ú Çõ½ÅÇü º¥Ã³±â¾÷ÀÌ´Ù.